該相機是指成像器件能探測到光子數(shù)小于500個，對微弱光進行成像。

　　該相機可以分為進行單光子探測的ICCD，在10個光子數(shù)下有優(yōu)勢的EMCCD；

　　在高分辨率高速度且高靈敏下的SCMOS，為降低熱噪聲提高靈敏度的制冷型CCD

　　1、原理

　　目標物體在相機的芯片上形成的每個信號都反映了投射在相機像素上的光線量。

　　在光線較暗的情況下，該信號非常弱。

　　高靈敏度相機內的電子元件可增強較弱的信號，使其能夠有效地數(shù)字化并傳輸[2]。

　　（1）EM增益——高靈敏度

　　EMCCD技術，有時也被稱作“片上增益”技術，是一種全新的微弱光信號增強探測技術。

　　它與普通的科學級CCD探測器的主要區(qū)別在于其讀出寄存器后又接續(xù)有一串“增益寄存器”；

　　它的電極結構不同于轉移寄存器，信號電荷在這里得到增益。

　　EMCCD也可采用背照式結構，把高達90%的量子效率與電荷倍增向結合；

　　提高靈敏度，從而提供高幀速率情況下的低照度響應。

　　溫度對片上倍增增益的影響明顯。溫度越低，由依次電子產(chǎn)生的二次電子越多，則片上倍增增益越高。

　　研究表明把探測器制冷到-30攝氏度或更低時，片上增益可以超過1000倍。

　　EMCCD良好的性能取決于CCD溫度的選擇以及溫度隨環(huán)境波動的控制。

　　（2）ICCD成像技術

　　ICCD是新一代增強型相機，靈敏度非常高，可進行單光子探測，適用于UV、VS、NIR等多種波段。

　　具有納秒級門控和相關控制模塊為微光及時間分辨提供可靠的性能保證。

　　ICCD主要由像增強器和CCD耦合而成，包括像增強器，CCD和中繼耦合組件等幾部分；

　　入射光經(jīng)過物鏡打到像增強器的光陰極上，由于光電效應轉換成電子圖像；

　　電子圖像耦合到微通道板，在微通道板的每個光纖通道內電子不斷撞擊，產(chǎn)

　　生約100倍的電子，放大的電子從微通道板射出撞擊熒光屏，重新激發(fā)出光子圖像，再經(jīng)過中繼器投射在CCD上成像。

　　對于ICCD而言，其像增強器門控裝置所能產(chǎn)生超短的曝光時間才是其在具體應用中的特點；

　　也是sCMOS,EMCCD，制冷CCD等其他相機所不能比擬，不能取代的。

　　但是ICCD是通過光電陰極實現(xiàn)光電轉換的，因此峰值量子效率不超過50%，并且由于微通道板和熒光屏的存在，而降低了空間分辨率。